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氮化镓(GaN, Gallium Nitride)是第三代新型半导体材料，具有高耐压、高频率、高效率、耐高温、化学性能稳定等特性，使充电器体积小、重量轻，充电功率转换同比普通充电器更高。采用芯片集成氮化镓MOS管、高性能变压器、电容等组件能效转化率高、损耗小、充电不易发烫。基于PI GAN技术，仅重172g，出行不累赘。兼容PD/SCP/FCP/QC/PPS/AFC/ APPLE5V2.4ABC1.2等协议。支持4台设备同时快充。