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GaN氮化镓是半导体市场上在制备宽波谱、高功率、高效率的微电子等器件方面领先的第三代高大禁带宽度的半导体材料,据市场研究机构Yole预测,受全球瞩目的5G网络部署的推动,GaN将在未来10年内成为3W以上RF功率应用的主流技术,简单来说,就像之前以认为大哥大就够用了的眼光看手机行业一样,只要我们想用到更高效率的电子设备,不久以后这种材料会变成主流。